英国莎莉大学的研究者已经开发出了新的晶体管。 这个晶体管具有线性特性，有很大的优点。

传统的MOSFET晶体管是大多数现代电子产品的基本组件，但不是完美的器件。 首先，这些是非线性器件，设计和分析变得复杂。 另外，在这些晶体管中，器件的数字和模拟工作由施加到栅电极的电压控制。

数字上，电压是用来接通或断开晶体管的。 在模拟意义上，栅极电压，更具体地说，从栅极到源极的电压具有跨导和增益等许多特性。

多模式晶体管

为了消除MOSFET晶体管的非理想性，莎莉大学的研究者设计了新的晶体管。 新晶体管被称为多模式晶体管Multimodal Transistor (MMT )，其创新的布局提供了巨大的上行链路潜力。

在其基本结构中，MMT由源极、漏极和两个控制栅极(CG1和CG2 )四个端子(主体除外)组成。 与以往的MOSFET一样，源极和漏极由半导体材料隔开，控制栅极由绝缘层隔开。

CG1位于源电极上方，用于控制注入电荷量(即电流量)。 沟道控制栅极CG2位于源极/漏极间隙的上方，在源极/漏极之间切换半导体的导通状态。

该体系结构的独特之处在于，CG1专门控制电流电平，CG2专门控制设备的开/关状态，而不影响电流的大小。 该功能结合了模拟注入和数字开关，使该装置非常灵活。

晶体管作为线性器件

这个成果发表在《Advanced Intelligent Systems》年。 因为MMT代表线性器件晶体管，所以这项研究非常重要。 这意味着输出和输入之间有线性依赖关系。 这种能力为工程师提供了前所未有的设计自由度，可能会导致更简单的设计，需要更少的分析和更少的晶体管。 更少的晶体管意味着更少的面积和更高的成品率。

研究人员还指出，该器件对开关速度和过程变化的容忍度提高了10倍。 另外，MMT的模拟/数字多功能性给薄膜技术带来了新的机会，如用于边缘集成处理的紧凑电路和高能效的模拟计算等。